对比图
型号 IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEBTMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 800V 3.9A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 63 W -
通道数 1 1
针脚数 3 -
漏源极电阻 1.2 Ω 1.2 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 63 W 63 W
阈值电压 3 V 2.1 V
输入电容 570 pF -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 3.9A 3.9A
上升时间 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 570pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)
下降时间 12 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc)
漏源击穿电压 - 800 V
长度 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
高度 - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -