对比图
型号 FQU2N60C IRF450 SPW20N60S5
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETINFINEON IRF450.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 VINFINEON SPW20N60S5. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 2 3
封装 TO-251-3 TO-204 TO-247-3
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 20.0 A
针脚数 - 2 3
漏源极电阻 - 0.4 Ω 0.19 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 - 150 W 208 W
阈值电压 - 4 V 4.5 V
输入电容 - - 3.00 nF
栅电荷 - - 103 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 1.9A - 20.0 A
上升时间 - 190 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 208 W
下降时间 - 130 ns 30 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 208 W
额定功率 - 150 W -
长度 - - 15.9 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 20.95 mm
封装 TO-251-3 TO-204 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Design
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
军工级 - Yes -
ECCN代码 - - EAR99