BSS138LT1G和BSS138_D87Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138LT1G BSS138_D87Z BSS138

描述 ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 VTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3Pin SOT-23 T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 200 mA 220 mA 220 mA

额定功率 0.225 W - 360 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 3.5 Ω 3.50 Ω 3.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 0.36 W 360 mW

阈值电压 1.5 V - 1.3 V

输入电容 40pF @25V 27.0 pF 27.0 pF

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 50 V 50.0 V 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA 220 mA 220 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 27pF @25V(Vds) 27pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW - 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 360mW (Ta) 360 mW

栅电荷 - 2.40 nC 2.40 nC

上升时间 - 9 ns 9 ns

下降时间 - 7 ns 7 ns

长度 2.9 mm - 2.92 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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