PD55015和PD55015S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55015 PD55015S-E PD55015-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsSTMICROELECTRONICS  PD55015-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 PowerSO-10-4 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 - 500 MHz 500 MHz

额定电流 - 5 A 5 A

针脚数 - - 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 73.0 W 73 W 73 W

输入电容 - - 89 pF

漏源极电压(Vds) - - 40 V

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.00 A 5.00 A

输出功率 - 15 W 15 W

增益 - 14 dB 14 dB

测试电流 - 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) - 89pF @12.5V(Vds) 89pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) - 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 73000 mW 73000 mW

额定电压 - 40 V 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 - 7.5 mm 9.6 mm

宽度 - 9.4 mm 9.5 mm

高度 - 3.5 mm 3.6 mm

封装 PowerSO-10-4 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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