D44H11G和D44H11TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D44H11G D44H11TU D44H11

描述 NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS  D44H11  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 W, 10 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 10.0 A - 10.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2000mW 1.67 W 50000mW

击穿电压(集电极-发射极) 80.0 V 80 V -

集电极最大允许电流 10A 10A -

频率 - 50 MHz -

针脚数 - 3 -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @4A, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @2A, 1V -

额定功率(Max) - 60 W -

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 50 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Compliant RoHS Compliant Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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