对比图
型号 FDB088N08 PSMN8R7-80BS IRF2807ZSPBF
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。NXP PSMN8R7-80BS 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0075 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IRF2807ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
漏源极电阻 0.0073 Ω 0.0075 Ω 0.0094 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 170 W 170 W
阈值电压 2 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 80 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 85A 90A 89A
上升时间 158 ns - 79 ns
输入电容(Ciss) 6595pF @25V(Vds) 3346pF @40V(Vds) 3270pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W - -
下降时间 102 ns - 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 170 W 170000 mW
针脚数 - 3 3
额定功率 - - 170 W
长度 10.67 mm 10.3 mm 10.67 mm
宽度 11.33 mm 11 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.5 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -