APT50GF120B2RG和IXER60N120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT50GF120B2RG IXER60N120 APT60GT60BRG

描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power ModulesTrans IGBT Chip N-CH 1.2kV 95A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 ISOPLUS-247 TO-247-3

额定电压(DC) 1.20 kV - 600 V

额定电流 156 A - 100 A

耗散功率 - 375 W 500000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 600 V

额定功率(Max) 781 W 375 W 500 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 781000 mW - 500000 mW

极性 - NPN, N-Channel -

上升时间 - 50.0 ns -

封装 TO-247-3 ISOPLUS-247 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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