对比图
描述 TO-220AB N-CH 100V 9.7AN-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy RatedN沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Harris ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
封装 TO-220-3 - TO-220-3
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 14.0 A
漏源极电阻 - - 180 mΩ
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 48W (Tc) - 60W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.7A - 14.0 A
上升时间 - - 25.0 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) - 458pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 48W (Tc) - 60W (Tc)
封装 TO-220-3 - TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 -