对比图
型号 BC33716TA BC33716TAR BC337RL1G
描述 NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor EpitaxialON SEMICONDUCTOR BC337RL1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3
频率 100 MHz - 210 MHz
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V
额定电流 800 mA 800 mA 800 mA
针脚数 3 - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) 60 - 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 630 -
长度 4.58 mm 4.58 mm 5.2 mm
宽度 3.86 mm 3.86 mm 4.19 mm
高度 4.58 mm 4.58 mm 5.33 mm
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Box Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99