BSM100GD120DN2和CM100TU-24H

对比图

型号 BSM100GD120DN2 CM100TU-24H BSM100GD120DLC

描述 IGBT芯片在NPT技术 IGBT Chip in NPT-technologyPOWEREX CM100TU-24H IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 1.2kV, 650W, 1.2kV, ModuleTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 160A 21Pin EconoPACK 3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Powerex Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Chassis Screw

引脚数 39 17 -

封装 ECONO-3 Module EconoPACK 3A

极性 - N-Channel -

耗散功率 680 W 650 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -

输入电容(Cies) - 15nF @10V -

额定功率(Max) - 650 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

耗散功率(Max) 680000 mW - -

封装 ECONO-3 Module EconoPACK 3A

长度 122 mm - -

宽度 62 mm - -

高度 17 mm - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Box - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -