对比图
型号 IPI60R099CPA STB36NM60N IPP60R099CPA
描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorSTB36NM60N 系列 600 V 105 mOhm N 沟道 MDmesh™ II 功率 Mosfet - D2PAK-3的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-263-3 TO-220-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - 210 W 255 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 31A 29A 31A
上升时间 5 ns 34 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 2722pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 255 W 210 W 255 W
下降时间 5 ns 67 ns 5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 210W (Tc) -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 - - 99 mΩ
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 - - 600 V
封装 TO-262-3 TO-263-3 TO-220-3
长度 10.2 mm - 10 mm
宽度 4.5 mm - 4.4 mm
高度 9.45 mm - 15.65 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17