SIHG47N60S-E3和SPW47N60C3FKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIHG47N60S-E3 SPW47N60C3FKSA1 SPW52N50C3FKSA1

描述 VISHAY  SIHG47N60S-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  SPW47N60C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

额定电压(DC) - 650 V 560 V

额定电流 - 47.0 A 52.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.057 Ω 0.07 Ω 0.06 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 417 W 415 W 417 W

阈值电压 2 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 47.0 A 52.0 A

上升时间 - 27 ns -

输入电容(Ciss) - 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

下降时间 - 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 415000 mW 417 W

输入电容 - - 6.80 nF

栅电荷 - - 290 nC

长度 - 16.13 mm 16.13 mm

宽度 - 5.21 mm 5.21 mm

高度 - 21.1 mm 21.1 mm

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

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