对比图
型号 FDB2710 IRF540NSPBF STB50N25M5
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2710 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 250 V, 0.0363 ohm, 10 V, 4 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK 新N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 250 V 100 V -
额定电流 50.0 A 33.0 A -
额定功率 260 W - -
针脚数 2 3 -
漏源极电阻 0.0363 Ω 0.044 Ω 0.055 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 260 W 130 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 7.28 nF 1960pF @25V -
栅电荷 101 nC - -
漏源极电压(Vds) 250 V 100 V 250 V
漏源击穿电压 250 V 100 V -
栅源击穿电压 250 V - -
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 33.0 A 14.0 A
上升时间 252 ns 35.0 ns 44 ns
输入电容(Ciss) 7280pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds) 1700pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 260 W 130 W 110 W
下降时间 154 ns - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 260 W - 110W (Tc)
产品系列 - IRF540NS -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.75 mm
宽度 11.33 mm - 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -