IRLR7843PBF和IRLR7843TRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7843PBF IRLR7843TRRPBF IRLR8743PBF

描述 INFINEON  IRLR7843PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 VDPAK N-CH 30V 161AINFINEON  IRLR8743PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 140 W - 135 W

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0033 Ω - 0.0031 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 140W (Tc) 135 W

阈值电压 2.3 V - 1.9 V

输入电容 4380pF @15V - 4880pF @15V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 161A 161A 160A

上升时间 42 ns 42 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 4380pF @15V(Vds) 4380pF @15V(Vds) 4880pF @15V(Vds)

下降时间 19 ns 19 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 135W (Tc)

额定功率(Max) 140 W - -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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