2SB709AR和BC856BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB709AR BC856BLT1G DTA124EEBTL

描述 2SB709AR PNP三极管 -45V -100mA/-0.1A 80MHz 210~340 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 BR 放大ON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-416

额定功率 - - 0.15 W

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

击穿电压(集电极-发射极) 45 V -65.0 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - - 56 @5mA, 5V

额定功率(Max) - - 150 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) - - 150 mW

额定电压(DC) - -65.0 V -

额定电流 - -100 mA -

耗散功率 - 300 mW -

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-416

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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