对比图
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) - 60.0 V
额定电流 - 50.0 A
额定功率 - 110 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.015 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 - 30 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5A 50.0 A
上升时间 - 50 ns
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W
下降时间 - 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc)
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.15 mm
封装 TO-220 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17