对比图
型号 FDS6294 IRF8721PBF SI4894BDY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6294 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 VINFINEON IRF8721PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 2.35 VSI4894BDY-T1-GE3 编带
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 13.0 A - -
通道数 1 - -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 11.3 mΩ 0.0085 Ω 11 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3 W 2.5 W 1.4 W
阈值电压 1.8 V 2.35 V -
输入电容 1.21 nF 1040pF @15V -
栅电荷 10.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 14A 8.9A
上升时间 4 ns 11 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1205pF @15V(Vds) 1040pF @15V(Vds) 1580pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.2 W - 1.4 W
下降时间 6 ns 7 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.5W (Ta) 2500 mW
额定功率 - 2.5 W -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -