STP28N65M2和TK20E60U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP28N65M2 TK20E60U IXKH20N60C5

描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 VMOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.15 Ω 0.19 Ω 180 mΩ

耗散功率 170 W 190 W -

阈值电压 3 V 3 V 3 V

输入电容 1440 pF - -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

上升时间 10 ns 40 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 1440pF @100V(Vds) - 1520pF @100V(Vds)

下降时间 8.8 ns 12 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 170W (Tc) - -

极性 - N-Channel -

连续漏极电流(Ids) - 20A -

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 600 V

长度 10.4 mm - 16.24 mm

宽度 4.6 mm - 5.3 mm

高度 15.75 mm - 21.45 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR -

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