对比图
型号 STGF30H60DF STGF30M65DF2 STGB30H60DF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 31000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FP TubeIGBT管/模块 STGF30M65DF2 TO-220FP-3Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
耗散功率 31000 mW 38000 mW 150000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 650 V 600 V
反向恢复时间 110 ns 140 ns 110 ns
额定功率(Max) 37 W 38 W 260 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 31000 mW 38000 mW 150000 mW
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99