对比图
描述 ZTX651 系列 NPN 2 A 60 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3ZTX651STZ 编带NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92-3 E-Line-3 TO-92-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 45.0 V
额定电流 2.00 A 2.00 A 100 mA
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 45 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 - 120 @2mA, 5V
额定功率(Max) 1 W 1 W 500 mW
频率 175 MHz 175 MHz -
极性 NPN NPN -
耗散功率 1 W 1 W -
增益频宽积 175 MHz 175 MHz -
集电极最大允许电流 2A 2A -
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW 1500 mW -
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 100 - -
封装 TO-92-3 E-Line-3 TO-92-3
长度 4.77 mm 4.77 mm -
宽度 2.41 mm 2.41 mm -
高度 4.01 mm 4.01 mm -
工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99