SPA04N60C3和SPA11N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPA04N60C3 SPA11N80C3 SPA08N80C3

描述 INFINEON  SPA04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFETINFINEON  SPA08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 650 V 800 V 800 V

额定电流 4.50 A 11.0 A 8.00 A

额定功率 - 34 W 40 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.85 Ω 0.39 Ω 650 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 31 W 41 W 40 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 11.0 A 8.00 A

上升时间 2.5 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 31 W 34 W 40 W

下降时间 9.5 ns 10 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 31 W 34W (Tc) 40W (Tc)

漏源击穿电压 - - 800 V

长度 10.65 mm 10.65 mm 10.65 mm

宽度 4.85 mm 4.85 mm 4.85 mm

高度 9.83 mm 16.15 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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