FDS6930A和SI6966DQ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6930A SI6966DQ AO4842

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6930A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET二极管与整流器

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 5.50 A - -

通道数 2 2 -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.032 Ω 17 mΩ -

极性 Dual N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 1 W 2 W

阈值电压 1.5 V - -

输入电容 460 pF - -

栅电荷 5.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 20 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.50 A 7.7A

上升时间 8 ns 8 ns 2.7 ns

输入电容(Ciss) 460pF @15V(Vds) - 448pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 2 W

下降时间 13 ns 8 ns 2.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 1.44 W

耗散功率(Max) - - 2000 mW

长度 4.9 mm 4.4 mm -

宽度 3.9 mm 3 mm -

高度 1.75 mm 1 mm -

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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