对比图
型号 BC 850C B5003 BC850CE6327HTSA1 BC847CT116
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3SOT-23 NPN 45V 0.1A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
耗散功率 330 mW 0.33 W 0.35 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420
额定功率(Max) 330 mW 330 mW 350 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 55 ℃
频率 - 250 MHz -
极性 - NPN N-Channel, NPN
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A
耗散功率(Max) - 330 mW 350 mW
增益频宽积 - - 200 MHz
最大电流放大倍数(hFE) - - 800
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1 mm 0.9 mm 0.95 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Obsolete Last Time Buy Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC