对比图
型号 BSH201,215 NTR0202PLT1G NDS0605
描述 NXP BSH201,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 VON SEMICONDUCTOR NTR0202PLT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0605 晶体管, MOSFET, P沟道, 180 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -1.7 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - -20.0 V -60.0 V
额定电流 - -400 mA -180 mA
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2.1 Ω 0.8 Ω 5 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 417 mW 225 mW 360 mW
漏源极电压(Vds) 60 V 20 V 60 V
漏源击穿电压 - 20 V 60 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) -300 mA 400 mA 180 mA
上升时间 4.5 ns 6 ns 6.3 ns
输入电容(Ciss) 70pF @48V(Vds) 70pF @5V(Vds) 79pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 417 mW 225 mW 360 mW
下降时间 20 ns 4 ns 7.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 417mW (Ta) 225 mW 360mW (Ta)
正向电压(Max) - 1 V -
长度 3 mm 3.04 mm 2.92 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 1 mm 1.01 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99