对比图
型号 IRF640S STB19NB20 FQB19N20TM
描述 N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFETN - 沟道增强型的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 19.4 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 180 mΩ - 150 mΩ
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 125 W - 3.13 W
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 19A 19.4 A
上升时间 27 ns - 190 ns
输入电容(Ciss) - - 1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.13 W
下降时间 25 ns - 80 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 3.13W (Ta), 140W (Tc)
宽度 9.35 mm - 9.65 mm
封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3
长度 10.4 mm - -
高度 4.6 mm - -
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99