BSS100和BSS101E6288

对比图

型号 BSS100 BSS101E6288 BSS100E6288

描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorN-CH 240V 0.13ATO-92 N-CH 100V 0.22A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-92 TO-92 TO-92

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 240 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 220 mA 0.13A 0.22A

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 220 mA - -

输入电容 60.0 pF - -

栅电荷 2.00 nC - -

封装 TO-92 TO-92 TO-92

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 Contains Lead - -