ULN2001A和ULN2003A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2001A ULN2003A E-ULN2001A

描述 STMICROELECTRONICS  ULN2001A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPSTMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP达林顿晶体管 Seven NPN Array

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 16 16 16

封装 DIP-16 DIP-16 DIP-16

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

输出电压 50 V ≤50.0 V -

输出电流 500 mA - -

通道数 7 7 -

针脚数 16 16 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V

直流电流增益(hFE) 1000 1000 -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

输入电压 30 V - -

输出接口数 - 7 -

耗散功率 - 2.25 W -

输入电容 - 15.0 pF -

输出电流(Max) - 500 mA -

长度 19.69 mm 20 mm 20 mm

宽度 7.11 mm 7.1 mm 7.1 mm

高度 4.95 mm 5.1 mm 4.59 mm

封装 DIP-16 DIP-16 DIP-16

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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