IRFU120ATU和IRFU120PBF的区别_IRFU120ATU代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU120ATU IRFU120PBF IRFU120A

描述 N沟道 100V 8.4A晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Samsung (三星)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 8.40 A - -

漏源极电阻 200 mΩ 0.27 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5W (Ta), 32W (Tc) 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.40 A 7.70 A -

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 360pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) - -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -