LBSS84LT1G和SBSS84LT1G

对比图

型号 LBSS84LT1G SBSS84LT1G BSS84T/R7

描述 MOS(场效应管)/LBSS84LT1G-50V,-130mA,10Ω,单P沟道功率MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) PANJIT Touch Screens

分类 MOS管MOS管

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

漏源极电阻 10 Ω 4.7 Ω -

极性 P P-CH -

阈值电压 0.8 V - -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V -

连续漏极电流(Ids) 0.13A 0.13A -

上升时间 1 ns 9.7 ns -

下降时间 8 ns 1.7 ns -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 0.225 W -

输入电容(Ciss) - 36pF @5V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225mW (Ta) -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

最小包装 3000 - -

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -