SBSS84LT1G

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SBSS84LT1G概述

-50V,-130mA,10Ω,单P沟道功率MOSFET

表面贴装型 P 通道 130mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)


得捷:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3


立创商城:
P沟道 50V 130mA


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the SBSS84LT1G power MOSFET from ON Semiconductor can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 225 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


力源芯城:
-50V,-130mA,10Ω,单P沟道功率MOSFET


SBSS84LT1G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 4.7 Ω

极性 P-CH

耗散功率 0.225 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.13A

上升时间 9.7 ns

输入电容Ciss 36pF @5VVds

下降时间 1.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SBSS84LT1G
型号: SBSS84LT1G
描述:-50V,-130mA,10Ω,单P沟道功率MOSFET
替代型号SBSS84LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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