对比图
型号 IRFW630B IRFW630BTM_FP001 HD74LVC14T
描述 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FETN沟道 200V 9AInverter, LVC/LCX/Z Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, PDSO14, TSSOP-14
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) HITACHI (日立)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-263-3 TSSOP
漏源极电阻 - 400 mΩ -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 3.13 W -
漏源极电压(Vds) - 200 V -
漏源击穿电压 - -40.0 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 9.00 A -
输入电容(Ciss) - 720pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 72W (Tc) -
封装 - TO-263-3 TSSOP
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -