对比图
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3
额定电压(DC) 900 V -
额定电流 11.4 A -
通道数 1 1
漏源极电阻 960 mΩ -
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 11.4 A 11.4A
上升时间 135 ns 135 ns
输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W -
下降时间 90 ns 90 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
长度 16.2 mm -
宽度 5 mm -
高度 20.1 mm -
封装 TO-3-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99