DTC114EE和PDTC114TE,115

对比图

型号 DTC114EE PDTC114TE,115 PDTC124ES,126

描述 数字晶体管（内置电阻） Digital transistors (built-in resistors)NXP  PDTC114TE,115  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 200 hFESPT NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Through Hole

封装 EMT SOT-416 TO-226-3

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @1mA, 5V 60 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 150 mW 500 mW

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 150 mW -

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 150 mW -

封装 EMT SOT-416 TO-226-3

长度 - 1.8 mm -

宽度 - 0.9 mm -

高度 - 0.85 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -