BC327-25RL1G和BC327-25ZL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC327-25RL1G BC327-25ZL1G BC32716TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC327-25RL1G  双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  BC327-25ZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 260 MHz, 625 mW, 800 mA, 160 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32716TA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 260 MHz 260 MHz 100 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -800 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 1.5 W 625 mW 625 mW

增益频宽积 - 260 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1.5 W 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 160 160 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW 625 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 630

长度 - 5.2 mm 4.58 mm

宽度 - 4.19 mm 3.86 mm

高度 - 5.33 mm 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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