IPI25N06S3-25和IPP25N06S3-25

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI25N06S3-25 IPP25N06S3-25 IPP260N06N3G

描述 OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-TransistorOptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-262-3 TO-220 TO-220

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -

额定电流 25.0 A 25.0 A -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 48W (Tc) 48000 mW -

输入电容 1.86 nF 1.86 nF -

栅电荷 41.0 nC 41.0 nC -

漏源极电压(Vds) 55 V 55.0 V -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A -

上升时间 27 ns 27 ns -

输入电容(Ciss) 1862pF @25V(Vds) 1862pF @25V(Vds) -

下降时间 27 ns 27 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 48W (Tc) 48000 mW -

封装 TO-262-3 TO-220 TO-220

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

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