对比图
型号 SPB16N50C3 STB55NF06T4 STD35NF06LT4
描述 INFINEON SPB16N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 560 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 16.0 A 50.0 A 35.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.015 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 110 W 80 W
阈值电压 3 V 3 V 1 V
漏源极电压(Vds) 560 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 50.0 A 17.5 A
上升时间 8 ns 50 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 110 W 80 W
下降时间 8 ns 15 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 110W (Tc) 80W (Tc)
输入电容 1.60 nF - 1700 pF
栅电荷 66.0 nC - -
长度 10 mm 10.4 mm 6.6 mm
宽度 9.25 mm 9.35 mm 6.2 mm
高度 4.4 mm 4.6 mm 2.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99