SPB16N50C3

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SPB16N50C3概述

INFINEON  SPB16N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263


立创商城:
SPB16N50C3


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 16A D2PAK-2 CoolMOS C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 560V 16A 280mOhm TO263-3 **


力源芯城:
500V,16A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263


DeviceMart:
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263


SPB16N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 16.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3 V

输入电容 1.60 nF

栅电荷 66.0 nC

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPB16N50C3
型号: SPB16N50C3
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  SPB16N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPB16N50C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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