对比图
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 31000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3
耗散功率 150000 mW 31000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 110 ns 110 ns
额定功率(Max) 260 W 37 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 150000 mW 31000 mW
封装 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99