对比图
描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP SiliconFAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC557BTA 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 200 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
频率 320 MHz - 150 MHz
额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA
针脚数 - - 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.625 W - 500 mW
增益频宽积 - - 150 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW
直流电流增益(hFE) - - 200
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 65 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 500 mW
长度 - - 4.58 mm
宽度 - - 3.86 mm
高度 - - 4.58 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Box Tape Tape
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99