PEMT1和PEMT1,115

对比图

型号 PEMT1 PEMT1,115 934056707115

描述 NXP  PEMT1  双极晶体管阵列, 通用, PNP, 40 V, 200 mW, -100 mA, 120 hFE, SOT-666SOT-666 PNP 40V 0.1ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-666 SOT-666 -

针脚数 6 - -

极性 PNP PNP, P-Channel -

耗散功率 200 mW 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 120 120 @1mA, 6V -

直流电流增益(hFE) 120 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

频率 - 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 120 @1mA, 6V -

额定功率(Max) - 300 mW -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SOT-666 SOT-666 -

高度 - 0.6 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -