APT5010LLL和APT5010LLLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5010LLL APT5010LLLG APT5010LFLL

描述 功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-ChannelTO-264 N-CH 500V 46A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 46.0 A -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 520W (Tc) -

输入电容 - 4.36 nF -

栅电荷 - 95.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 46A 46.0 A 46A

上升时间 - 15 ns -

输入电容(Ciss) - 4360pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 520 W -

下降时间 - 3 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 520W (Tc) -

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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