对比图
型号 CY62147EV30LL-45BVI CY62147EV30LL-45BVXA IS61WV25616BLL-10BLI
描述 4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM宽电压范围： 2.20 V至3.60 V 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM 4-Mbit (256K x 16) Static RAMRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 48 48 48
封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48
供电电流 20 mA 20 mA 45 mA
针脚数 - - 48
位数 16 16 16
存取时间 45 ns 45 ns 10 ns
存取时间(Max) 45 ns 45 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 2.4 V
长度 - - 8.1 mm
宽度 - - 6.1 mm
高度 - 0.81 mm 0.9 mm
封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a - EAR99