对比图
描述 IRF60B217 系列 60 V 60 A 9 mOhm 法兰安装 IR Mosfet - TO-220ABIRF60R217 系列 60 V 58 A 9.9 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - DPAK-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3
通道数 1 -
针脚数 3 3
漏源极电阻 7.3 mΩ 0.008 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 83 W 83 W
阈值电压 2.1 V 3.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V -
连续漏极电流(Ids) 60A 58A
上升时间 37 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 2230pF @25V(Vds) 2170pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83 W 83 W
长度 10.67 mm 7.49 mm
宽度 4.83 mm 6.73 mm
高度 16.51 mm 2.39 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99