BD1366S和BD1366STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD1366S BD1366STU BD136G

描述 Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkTrans GP BJT PNP 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  BD136G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

额定电压(DC) - - -45.0 V

额定电流 - - -1.50 A

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 1.25 W

热阻 - - 10℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - - 25

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1250 mW

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 - - 7.8 mm

宽度 - - 2.66 mm

高度 - - 11.04 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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