MUN5313DW1T1和RN4984

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5313DW1T1 RN4984 MUN5313DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsRN4984 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记6D 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路ON SEMICONDUCTOR  MUN5313DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363 US-6 SC-70-6

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - 6

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN, PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

耗散功率 385 mW - 256 mW

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 80

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

额定功率(Max) 250 mW - 250 mW

直流电流增益(hFE) - - 140

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW

封装 SOT-363 US-6 SC-70-6

长度 - - 2 mm

宽度 - - 1.25 mm

高度 0.9 mm - 0.9 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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