FM18W08-PG和FM25V05-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM18W08-PG FM25V05-G FM18L08-70-S

描述 NVRAM FRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28Pin PDIPF-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。NVRAM FRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Ramtron

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 8 28

封装 DIP SOIC-8 SOIC

电源电压(DC) - - 3.60V (max)

额定电流 - - 15.0 A

存取时间 - - 70.0 ns

内存容量 - - 256000 B

供电电流 - 3 mA -

针脚数 - 8 -

时钟频率 - 40 MHz -

存取时间(Max) - 9 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 2V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2 V -

封装 DIP SOIC-8 SOIC

高度 4.95 mm 1.478 mm -

长度 - 4.98 mm -

宽度 - 3.987 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台