对比图
型号 FDB42AN15A0 STB55NF06T4 NTB35N15T4G
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 150 V 60.0 V 150 V
额定电流 35.0 A 50.0 A 37.0 A
漏源极电阻 42.0 mΩ 0.015 Ω 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 110 W 178 W
输入电容 2.15 nF - -
栅电荷 30.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 150 V 60 V 150 V
漏源击穿电压 150 V 60.0 V 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 50.0 A 37.0 A
上升时间 19.0 ns 50 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 2150pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 110 W 2 W
耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 2 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 2.9 V
下降时间 - 15 ns 120 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 9.65 mm
宽度 - 9.35 mm 10.29 mm
高度 - 4.6 mm 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99