MMBF0202PLT1和NTR0202PLT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF0202PLT1 NTR0202PLT3G NTR0202PLT1G

描述 功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 PackageON SEMICONDUCTOR  NTR0202PLT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -20.0 V

额定电流 -300 mA -400 mA -400 mA

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 550 mΩ 0.8 Ω

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 - 225 mW 225 mW

输入电容 - 70.0 pF -

栅电荷 - 2.18 nC -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V 20 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 400 mA 400 mA

上升时间 1.00 ns 6 ns 6 ns

输入电容(Ciss) - 70pF @5V(Vds) 70pF @5V(Vds)

额定功率(Max) - 225 mW 225 mW

下降时间 - 6 ns 4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 225mW (Ta) 225 mW

针脚数 - - 3

正向电压(Max) - - 1 V

长度 - 2.9 mm 3.04 mm

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台