IXDI409SI和UCC37321P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI409SI UCC37321P MIC4421YM

描述 MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOICTEXAS INSTRUMENTS  UCC37321P.  芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, DIP-8MIC4421 系列 1.5 Ohm 9 A峰值 低压侧 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

上升/下降时间 10 ns 20 ns 20ns, 24ns

输出接口数 1 1 1

输出电流 9 A 9 A -

上升时间 15 ns 70 ns 75 ns

下降时间 15 ns 30 ns 75 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4V ~ 15V 4.5V ~ 18V

电源电压(Min) 4.5 V 4 V 4.5 V

电源电压(DC) - 4.00V (min) 4.50V (min)

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 0.35 W 1.04 W

下降时间(Max) - 30 ns 75 ns

上升时间(Max) - 70 ns 75 ns

耗散功率(Max) - 350 mW 1040 mW

电源电压(Max) - 15 V 18 V

额定功率 - 350 mW -

输出电压 - 150 mV -

通道数 - 1 -

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

长度 - 9.81 mm -

宽度 - 6.35 mm -

高度 - 4.57 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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