对比图
型号 IRFH5210TR2PBF IRFH5210TRPBF
描述 PQFN N-CH 100V 10AINFINEON IRFH5210TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PQFN-8 PowerVDFN-8
额定功率 - 3.6 W
针脚数 - 8
漏源极电阻 14.9 mΩ 0.0126 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 3.6 W 104 W
阈值电压 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A, 100 A 10A
上升时间 9.7 ns 9.7 ns
输入电容(Ciss) 2570pF @25V(Vds) 2570pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.6 W 3.6 W
下降时间 6.5 ns 6.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
通道数 1 -
产品系列 IRFH5210 -
漏源击穿电压 100 V -
封装 PQFN-8 PowerVDFN-8
长度 6 mm -
宽度 5 mm -
高度 0.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17